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BUL52BSMD

更新时间： 2024-09-26 09:02:27

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SEME-LAB		晶体晶体管装置
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描述
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed

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BUL52BSMD 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-276AB
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-276AB
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

BUL52BSMD 数据手册

BUL52BSMD

Dimensions in mm (inches).

Bipolar NPN Device in a

Hermetically sealed

Ceramic Surface Mount

Package for High

0.89

(0.035)

min.

3.70 (0.146)

3.41 (0.134)

3.70 (0.146)

3.41 (0.134)

3.60 (0.142)

Max.

Reliability Applications

Bipolar NPN Device.

V_CEO= 400V

I_C= 8A

9.67 (0.381)

9.38 (0.369)

All Semelab hermetically sealed products

can be processed in accordance with the

requirements of BS, CECC and JAN,

0.50 (0.020)

0.26 (0.010)

11.58 (0.456)

11.28 (0.444)

JANTX, JANTXV and JANS specifications

SMD1 (TO276AB)

PINOUTS

1 – Base

2 – Collector

3 – Emitter

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

400

Units

V_CEO*

I_C(CONT)

h_FE

@ 1/3 (V_CE/ I_C)

f_t

20M

P_D

100

* Maximum Working Voltage

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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15-Aug-02

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUL53A	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL53ASMD	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed
BUL53B	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL53BSMD	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54A	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54AFI	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54ASMD	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL54A-TO5	SEME-LAB	获取价格	SILICON POWER NPN TRANSISTOR
BUL54B	SEME-LAB	获取价格	ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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