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BUK7208-40B,118 PDF预览

BUK7208-40B,118

更新时间： 2024-11-25 14:28:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 183K
描述
BUK7208-40B - N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin

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BUK7208-40B,118 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DPAK包装说明：PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.21雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：105 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：185 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：167 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：397 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK7208-40B,118 数据手册

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BUK7208-40B  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
Rev. 03 — 7 June 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to  
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ Low conduction losses due to low  
„ Suitable for standard level gate drive  
on-state resistance  
sources  
„ Q101 compliant  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 185 °C rating  
1.3 Applications  
„ 12 V loads  
„ General purpose power switching  
„ Motors, lamps and solenoids  
„ Automotive systems  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 185 °C  
-
-
-
-
40  
75  
V
A
[1]  
ID  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1; see Figure 3  
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
167  
8
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 11;  
see Figure 12  
6.6  
mΩ  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
ID = 75 A; Vsup ≤ 40 V;  
-
-
-
242 mJ  
drain-source avalanche RGS = 50 Ω; VGS = 10 V;  
energy  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
Tj(init) = 25 °C; unclamped  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
VDS = 32 V; Tj = 25 °C;  
see Figure 13  
11.5  
-
nC  
[1] Continuous current is limited by package.  
 
 
 
 
 
 
1234567...14

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BUK7208-40B,118 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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