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BSS123L

更新时间： 2023-09-03 20:32:47

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1734K
描述
功率 MOSFET 170 mA，100 V，N 沟道 SOT-23

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BSS123L 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.46
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	980989	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	BSS123L-	Samacsys Released Date：	2019-03-30 04:42:06
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	0.17 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS123L 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

N-Channel Logic Level

Enhancement Mode Field

Effect Transistor

BSS123L

N−Channel

Description

This N−channel enhancement mode field effect transistor is

produced using high cell density, trench MOSFET technology. This

product minimizes on−state resistance while providing rugged,

reliable and fast switching performance. This product is particularly

suited for low−voltage, low−current applications such as small servo

motor control, power MOSFET gate drivers, logic level transistor,

high speed line drivers, power management/power supply

and switching applications.

SOT−23−3

CASE 318−08

MARKING DIAGRAM

Features

Drain

• 0.17 A, 100 V

♦ R

= 6 ꢀ @ V = 10 V

DS(on)

SB MG

= 10 ꢀ @ V = 4.5 V

DS(on)

• High Density Cell Design for Low R

• Rugged and Reliable

DS(ON)

Gate

Source

• Compact Industry Standard SOT−23 Surface Mount Package

• Very Low Capacitance

= Specific Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

• Fast Switching Speed

• This Device is Pb−Free and Halogen Free

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation and/or position may vary

depending upon manufacturing location.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

BSS123L

SOT−23−3

(Pb−Free)

3000 /

Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

November, 2021 − Rev. 2

BSS123L/D

12 3 4 5 6 7 8

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BSS123L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSS123	ONSEMI	类似代替	N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管100V，170mA，6Ω
BSS123LT1G	ONSEMI	类似代替	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts
BSS123TA	DIODES	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与BSS123L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS123L6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS123L6433HTMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSS123L99Z	TI	获取价格	170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS123-L99Z	TI	获取价格	170mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS123LT1	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts
BSS123LT1	MOTOROLA	获取价格	TMOS FET Transistor(N-Channel)
BSS123LT1/D	ETC	获取价格	TMOS FET Transistor
BSS123LT1D	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts
BSS123LT1G	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts
BSS123LT3	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

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