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BSP16T3 PDF预览

BSP16T3

更新时间： 2024-09-16 11:56:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 108K
描述
High Voltage Transistors

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BSP16T3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-261AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68外壳连接：COLLECTOR
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP16T3 数据手册

 浏览型号BSP16T3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSP16T3的Datasheet PDF文件第3页 
BSP16T1G  
High Voltage Transistors  
PNP Silicon  
Features  
These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
http://onsemi.com  
Compliant  
PNP SILICON  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
--300  
--350  
-- 6 . 0  
--100  
1.5  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
W
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
COLLECTOR 2,4  
I
BASE  
1
C
Total Device Dissipation @ T = 25C  
P
A
D
(Note 1)  
EMITTER 3  
Storage Temperature Range  
P
-- 6 5 t o  
+150  
C  
C  
D
Junction Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
T
150  
J
MARKING  
DIAGRAM  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction--to--Ambient  
R
83.3  
C/W  
θ
JA  
AYW  
BT2G  
G
TO--223  
CASE 318E  
STYLE 1  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1
A
Y
W
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in x 1.575 in x  
0.059 in; mounting pad for the collector lead min. 0.93 sq. in.  
BT2 =Device Code  
= Pb--Free Package  
G
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
1000/Tape & Reel  
BSP16T1G  
TO--223  
(Pb--Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
September, 2010 -- Rev. 7  
BSP16T1/D  
123

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与BSP16T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP16-TAPE-7 NXP

获取价格

 		1A, 300V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSP16TRL YAGEO

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
BSP16TRL13 NXP

获取价格

 		1A, 300V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
BSP17 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated)
BSP170 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated)
BSP170P INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated)
BSP170P UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
BSP170P_09 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP170PE6327T INFINEON

获取价格

 		SIPMOS® Small-Signal-Transistor
BSP170PH6327 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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