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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP16TRL | YAGEO |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BSP16TRL13 | NXP |
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1A, 300V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| BSP17 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated) |
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| BSP170 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated) |
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| BSP170P | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated) |
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| BSP170P | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| BSP170P_09 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP170PE6327T | INFINEON |
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SIPMOS® Small-Signal-Transistor |
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| BSP170PH6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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