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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-73 |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-73, 4 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.13 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.35 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A | 最大漏源导通电阻： | 8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP130,115 | NXP |
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N-channel vertical D-MOS logic level FET SC-73 4-Pin |
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| BSP130/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN, FET General |
|
| BSP130-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP130T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 300MA I(D) | SOT-223 |
|
| BSP130-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP130-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP135 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
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| BSP135_10 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP135H6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSP135H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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