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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 100 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 10 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP145-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.25 A, 450 V, 14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP145TRL | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP145TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP149 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
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| BSP149_05 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP149H6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP149H6327XTSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP149H6906 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP149L6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP149L6906 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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