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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.38 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.04 A | 最大漏源导通电阻： | 100 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP145 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP145-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.75 A, 450 V, 14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP145-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.25 A, 450 V, 14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP145-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.25 A, 450 V, 14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP145TRL | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP145TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 250 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP149 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
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| BSP149_05 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP149H6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP149H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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