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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 1.6 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.66 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.66 A | 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2.6 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP149 | INFINEON |
功能相似  |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP149H6906 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP149L6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSP149L6906 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSP15 | ZETEX |
获取价格 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| BSP15 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BSP152 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP152-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP152-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP152-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP152TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 550 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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