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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BSP16T1
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BSP16T1

更新时间： 2024-11-05 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
SOT-223 PACKAGE PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT

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BSP16T1 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-261AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.26
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

BSP16T1 数据手册

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by BSP16T1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
PNP Silicon  
COLLECTOR 2,4  
SOT–223 PACKAGE  
PNP SILICON  
HIGH VOLTAGE  
TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
BASE  
1
EMITTER 3  
4
MAXIMUM RATINGS  
1
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
–300  
–350  
–6.0  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
CASE 318E-04, STYLE 1  
TO-261AA  
Vdc  
Vdc  
I
C
–1000  
–500  
1.5  
mAdc  
mAdc  
Watts  
°C  
Base Current  
I
B
(1)  
Total Device Dissipation, T = 25°C  
P
D
A
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
DEVICE MARKING  
BT2  
T
stg  
–65 to +150  
150  
T
J
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
83.3  
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = –50 mAdc, I = 0, L = 25 mH)  
–300  
–300  
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Collector–Emitter Cutoff Current  
(V = –250 Vdc, I = 0)  
I
µAdc  
µAdc  
µAdc  
CES  
–50  
–1.0  
–20  
CE  
Collector–Base Cutoff Current  
(V = –280 Vdc, I = 0)  
B
I
CBO  
—
CB  
Emitter–Base Cutoff Current  
(V = –6.0 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
—
EB  
C
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in. x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 sq. in.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP16T1/D ETC

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 		SOT-223 Package High Voltage Transistor
BSP16T1G ONSEMI

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BSP16T3 ONSEMI

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BSP16-TAPE-7 NXP

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BSP16TRL YAGEO

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
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BSP17 INFINEON

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 		SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated)
BSP170 INFINEON

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 		SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated)
BSP170P INFINEON

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 		SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated)
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获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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