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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.55 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 30 ns | 最大开启时间（吨）： | 15 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP152-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP152TRL | NXP |
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TRANSISTOR 550 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP152TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 550 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP15-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSP15T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
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| BSP15-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP15-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP15TC | ZETEX |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| BSP15TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| BSP15TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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