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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 15 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| VCEsat-Max： | 2.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP15TC | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| BSP15TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BSP15TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP15TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP16 | TYSEMI |
获取价格 |
High voltage (max. 350 V). base current (DC) IB -200 mA |
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| BSP16 | KEXIN |
获取价格 |
PNP High-Voltage Transistor |
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| BSP16 | NXP |
获取价格 |
PNP high-voltage transistor |
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| BSP16 | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| BSP16T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
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| BSP16T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SOT-223 PACKAGE PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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