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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.66 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.66 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSP149L6906 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSP149 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP149L6906 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP15 | ZETEX |
获取价格 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| BSP15 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BSP152 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP152-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP152-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP152-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP152TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 550 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP152TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 550 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP15-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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