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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.24 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP152 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP152-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP152-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP152-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.55 A, 200 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP152TRL | NXP |
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TRANSISTOR 550 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP152TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 550 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP15-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP15T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
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| BSP15-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BSP15-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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