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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP149 | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance) |
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| BSP149_05 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP149H6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP149H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSP149H6906 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP149L6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSP149L6906 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSP15 | ZETEX |
获取价格 |
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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| BSP15 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| BSP152 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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