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BSP135I

更新时间: 2024-09-16 14:55:59
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 1567K
描述
N-沟道耗尽模式 MOSFET BSP135I 采用 SOT-223 封装,其特性为 VDS = 600 V、RDS(on)?= 60 Ohm。

BSP135I 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP135L6327HTSA1 INFINEON

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BSP135L6906 INFINEON

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BSP135L6906HTSA1 INFINEON

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BSP139E-6327 INFINEON

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BSP145 NXP

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BSP145-TAPE-7 NXP

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TRANSISTOR 0.25 A, 450 V, 14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
BSP145TRL NXP

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BSP145TRL13 NXP

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TRANSISTOR 250 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S