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BSP129E7941

更新时间： 2024-09-15 21:11:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 305K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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BSP129E7941 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.12
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：240 V最大漏极电流 (ID)：0.2 A
最大漏源导通电阻：20 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：0.6 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSP129E7941 数据手册

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BSP 129  
SIPMOS Small-Signal Transistor  
● VDS  
● ID  
240 V  
0.2 A  
● RDS(on) 20 Ω  
● N channel  
● Depletion mode  
● High dynamic resistance  
● Available grouped in VGS(th)  
Type  
Ordering  
Code  
Tape and Reel Information Pin Configuration Marking Package  
1
2
3
4
BSP 129 Q67000-S073 E6327: 1000 pcs/reel  
BSP 129 Q67000-S314 E7941: 1000 pcs/reel  
G
D
S
D
BSP 129 SOT-223  
VGS(th) selected in groups:  
(see page 3)  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Values  
240  
Unit  
Drain-source voltage  
V
Drain-gate voltage, RGS = 20 kΩ  
Gate-source voltage  
VDGR  
VGS  
240  
± 20  
Class 1  
0.2  
ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883  
Continuous drain current, TA = 34 ˚C  
–
ID  
A
Pulsed drain current,  
TA = 25 ˚C  
TA = 25 ˚C  
ID puls  
Ptot  
0.6  
Max. power dissipation,  
1.7  
W
Operating and storage temperature range  
Tj, Tstg  
– 55 … + 150  
˚C  
Thermal resistance 1)  
chip-ambient  
chip-soldering point RthJS  
RthJA  
72  
12  
K/W  
–
DIN humidity category, DIN 40 040  
–
–
E
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
55/150/56  
1)  
Transistor on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm with 6 cm2 copper area for drain connection.  
Data Sheet  
1
05.99  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSP129L6327HTSA1 INFINEON

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 		SIPMOS® Small-Signal-Transistor
BSP129L6906HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSP130 NXP

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 		N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP130,115 NXP

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BSP130/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN, FET General
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 300MA I(D) | SOT-223
BSP130-TAPE-13 NXP

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BSP130-TAPE-7 NXP

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 		TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
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 		SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

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