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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.76 | 雪崩能效等级（Eas）： | 10 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 34 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 49 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0127 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSC042N03LSG | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS™3 Power-MOSFET |
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| BSC0909NS | INFINEON |
功能相似 |
n-Channel Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC0909NS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSC090N03LS G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSC090N03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-MOSFET |
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| BSC090N03MSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSC090N03MSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC0910NDI | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BSC0910NDIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| BSC0911ND | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌凭借 OptiMOS™ 25V 产品系列，为分立功率 MOSFET 和封装系统树立功 |
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| BSC0911NDATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSC091N03MSCG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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