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BSC094N06LS5

更新时间： 2024-09-26 11:15:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关无线栅驱动控制器电信微控制器栅极
页数	文件大小	规格书
13页	1442K
描述
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。

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BSC094N06LS5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BSC094N06LS5 数据手册

BSC094N06LS5

MOSFET

OptiMOS^TMꢀPower-Transistor,ꢀ60ꢀV

SuperSO8

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀrec.

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Drain

Pin 5-8

Parameter

Value

Unit

V_DS

Gate

Pin 4

R_DS(on),max

I_D

9.4

mΩ

Source

Pin 1-3

*1: Internal body diode

Q_OSS

Q_G(0V..4.5V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

094N06LS

RelatedꢀLinks

BSC094N06LS5

PG-TDSON-8

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2023-01-13

12 3 4 5 6 7...13

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