是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SON |
包装说明: | TDSON-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.27 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas): | 10 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 49 A | 最大漏极电流 (ID): | 13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0093 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 2.5 W | 最大功率耗散 (Abs): | 35 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 196 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSC059N04LSG | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSC016N04LSG | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS™3 Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC093N15NS5 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌新推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏 | |
BSC093N15NS5ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 87A I(D), 150V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
BSC093N15NS5SC | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 5 power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DS | |
BSC094N03S | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor | |
BSC094N03SG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor | |
BSC094N03SG_09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor | |
BSC094N03SGAUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.6A I(D), 30V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC094N06LS5 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 | |
BSC096N10LS5 | INFINEON |
获取价格 |
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷,可在不影响导通 | |
BSC097N06NS | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化,例如 |