是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.75 | 外壳连接: | DRAIN SOURCE |
配置: | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 25 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 36 A | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0059 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC0910NDIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
BSC0911ND | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌凭借 OptiMOS™ 25V 产品系列,为分立功率 MOSFET 和封装系统树立功 | |
BSC0911NDATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
BSC091N03MSCG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC091N03MSCGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC0921NDI | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor | |
BSC0921NDI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet | |
BSC0921NDIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |
BSC0923NDI | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet | |
BSC0923NDI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |