生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 90 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 14.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0094 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 140 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC094N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 | |
BSC096N10LS5 | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷,可在不影响导通 | |
BSC097N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化,例如 | |
BSC098N10NS5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET | |
BSC0993ND | INFINEON |
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凭借 OptiMOS? 5 30V 产品系列,英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度 | |
BSC0993NDATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
BSC100N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET | |
BSC100N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC100N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET | |
BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |