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BSC0911NDATMA1

更新时间： 2024-11-24 19:57:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 649K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TISON-8

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BSC0911NDATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.64
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：2.2 A最大漏源导通电阻：0.0048 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC0911NDATMA1 数据手册

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BSC0911ND  
Q2  
Dual N-Channel OptiMOS™ MOSFET  
Product Summary  
Features  
Q1  
25  
• Dual N-channel OptiMOS™ MOSFET  
25  
1.2  
1.7  
40  
V
VDS  
• Optimized for high performance Buck converter  
3.2  
4.8  
40  
RDS(on),max  
VGS=10 V  
VGS=4.5 V  
mW  
• Logic level (4.5V rated)  
• N-channel  
A
ID  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
VPhase  
Type  
Package  
Marking  
0911ND  
BSC0911ND  
PG-TISON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified 2)  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Q1  
Q2  
I D  
T C=70 °C, VGS=10 V  
T A=25 °C, VGS=4.5 V3)  
T A=70 °C, VGS=4.5 V3)  
Continuous drain current  
40  
40  
A
18  
14  
30  
24  
T A=25 °C, VGS=4.5 V4  
)
14  
22  
Pulsed drain current5)  
I D,pulse  
T C=70 °C  
160  
160  
Q1: I D=20 A,  
Q2: I D=20 A,  
R GS=25 W  
EAS  
Avalanche energy, single pulse  
20  
160  
mJ  
VGS  
Ptot  
±20  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
T A=25 °C2)  
2.5  
1.0  
2.5  
1.0  
W
T A=25 °C, minimum  
footprint3)  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
°C  
1) J-STD20 and JESD22  
2) One transistor active  
Rev.2.0  
page 1  
2013-07-30  
1234567...14

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