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BSC100N03LSGATMA1

更新时间： 2024-09-25 15:43:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	689K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC100N03LSGATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.69	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	10 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.0142 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	176 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSC100N03LSGATMA1 数据手册

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