是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 5.81 | 雪崩能效等级(Eas): | 10 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0091 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 176 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC0921NDI | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor | |
BSC0921NDI_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
BSC0921NDIATMA1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
BSC0923NDI | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
BSC0923NDI_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
BSC0924NDI | INFINEON |
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BSC0925ND | INFINEON |
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BSC093N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
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