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BSC0921NDIATMA1

更新时间： 2024-09-26 04:12:03
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英飞凌 - INFINEON ATM异步传输模式
页数 文件大小 规格书
14页 753K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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BSC0921NDIATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：1.67Samacsys Description：INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 40A, TISON
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED端子面层：Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BSC0921NDIATMA1 数据手册

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BSC0921NDI  
Q2  
Dual N-Channel OptiMOS™ MOSFET  
Product Summary  
Features  
Q1  
30  
5
• Dual N-channel OptiMOS™ MOSFET  
VDS  
30  
1.6  
2.1  
40  
V
• Optimized for high performance Buck converter  
RDS(on),max  
VGS=10 V  
VGS=4.5 V  
mW  
• Logic level (4.5V rated)  
7
• N-channel  
ID  
40  
A
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
VPhase  
Type  
Package  
Marking  
BSC0921NDI  
0921NDI  
PG-TISON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified 2)  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Q1  
Q2  
I D  
T C=70 °C, VGS=10V  
Continuous drain current  
40  
17  
14  
11  
40  
31  
25  
19  
A
T A=25 °C, VGS=4.5V3)  
T A=70 °C, VGS=4.5V3)  
T A =25 °C, VGS=10V4)  
T C=70 °C  
Pulsed drain current5)  
I D,pulse  
EAS  
160  
160  
Q1: I D=20 A,  
Q2: I D=20 A,  
R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
12  
60  
mJ  
VGS  
Ptot  
±20  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
T A=25 °C2)  
2.5  
1.0  
2.5  
1.0  
W
T A=25 °C, minimum  
footprint3)  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
°C  
1) J-STD20 and JESD22  
2) One transistor active  
3) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection. PCB  
is vertical in still air.  
4)  
Device mounted on a minimum pad (one layer, 70 µm thick). One transistor active  
5)  
See figure 3 for more detailed information.  
Rev.2.0  
page 1  
2013-07-30  
1234567...14

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