型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC094N03S | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor | |
BSC094N03SG | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor | |
BSC094N03SG_09 | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor | |
BSC094N03SGAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.6A I(D), 30V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC094N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 | |
BSC096N10LS5 | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷,可在不影响导通 | |
BSC097N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化,例如 | |
BSC098N10NS5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET | |
BSC0993ND | INFINEON |
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凭借 OptiMOS? 5 30V 产品系列,英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度 | |
BSC0993NDATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |