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| 英飞凌 - INFINEON |  |
通信驱动开关脉冲光电二极管晶体管驱动器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 10页 | 1301K |  |
| 描述 | ||
| 英飞凌新推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)（与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25％）和 Q rr，而不影响 FOM gd 和 FOM OSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（在 SuperSO8 中，Q rr = 26 nC）提高了换流坚固性。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.73 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 87 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0093 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 348 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC093N15NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 87A I(D), 150V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| BSC093N15NS5SC | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DS |
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| BSC094N03S | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| BSC094N03SG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |
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| BSC094N03SG_09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC094N03SGAUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.6A I(D), 30V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC094N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSC096N10LS5 | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通 |
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| BSC097N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如 |
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| BSC098N10NS5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET |
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