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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 377 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 156 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC105N10LSFG | INFINEON |
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OptiMOS?2 Power-Transistor |
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| BSC105N10LSFGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC105N15LS5 | INFINEON |
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The OptiMOS? 5 Logic-Level power MOSFET 150 V family offers the same excellent performance |
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| BSC-106-L-D-PE | SAMTEC |
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Board Connector, 12 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket, |
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| BSC106N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC106N025SG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC106N025SG_09 | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC109N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSC109N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSC109N10NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 100V, 0.0109ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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