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BSC0925ND

更新时间： 2024-09-26 11:14:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		通信电池栅数据通信服务器电脑栅极调节器
页数	文件大小	规格书
10页	625K
描述
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6）

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BSC0925ND 数据手册

BSC0925ND

OptiMOS^TMPower-MOSFET

Product Summary

Features

V_DS

• Dual N-channel OptiMOS™ MOSFET

• Optimized for clean switching

• 100% avalanche tested

• Superior thermal resistance

R_DS(on),max

I_D

8.6

Q_OSS

Q_G(0V..10V)

• Optimized for high performance Buck converter

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

VPhase

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

0925ND

BSC0925ND

PG-TISON-8

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified²⁾

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

V _GS=10 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

V _GS=4.5 V,

T _A=25 °C³⁾

V _GS=4.5 V,

T _A=70 °C³⁾

V _GS=10 V, T _A=25 °C⁴⁾

T _C=25 °C

160

Pulsed drain current⁵⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=20 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

V _GS

±20

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾One transistor active

³⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

⁴⁾Device mounted on a minimum pad (one layer, 70 µm thick). One transistor active

⁵⁾See figure 3 for more detailed information.

Rev. 2.0

page 1

2013-07-30

12 3 4 5 6 7...10

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