是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 26 weeks | 风险等级: | 1.69 |
雪崩能效等级(Eas): | 130 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (ID): | 87 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0093 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 348 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC093N15NS5SC | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 5 power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DS | |
BSC094N03S | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor | |
BSC094N03SG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor | |
BSC094N03SG_09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor | |
BSC094N03SGAUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.6A I(D), 30V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC094N06LS5 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 | |
BSC096N10LS5 | INFINEON |
获取价格 |
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷,可在不影响导通 | |
BSC097N06NS | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化,例如 | |
BSC098N10NS5 | INFINEON |
获取价格 |
Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET | |
BSC0993ND | INFINEON |
获取价格 |
凭借 OptiMOS? 5 30V 产品系列,英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度 |