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BSC0911ND

更新时间： 2024-09-26 11:15:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 通信栅数据通信服务器光电二极管晶体管栅极调节器
页数 文件大小 规格书
14页 737K
描述
英飞凌凭借 OptiMOS™ 25V 产品系列，为分立功率 MOSFET 和封装系统树立功率密度和能效新标准。极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。可用于半桥配置（功率级 5x6）。

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BSC0911ND 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.64Samacsys Description：MOSFET N-Ch 25V 40A TISON-8
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (ID)：2.2 A
最大漏源导通电阻：0.0048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC0911ND 数据手册

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BSC0911ND  
Q2  
Dual N-Channel OptiMOS™ MOSFET  
Product Summary  
Features  
Q1  
25  
• Dual N-channel OptiMOS™ MOSFET  
25  
1.2  
1.7  
40  
V
VDS  
• Optimized for high performance Buck converter  
3.2  
4.8  
40  
RDS(on),max  
VGS=10 V  
VGS=4.5 V  
mW  
• Logic level (4.5V rated)  
• N-channel  
A
ID  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
VPhase  
Type  
Package  
Marking  
0911ND  
BSC0911ND  
PG-TISON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified 2)  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Q1  
Q2  
I D  
T C=70 °C, VGS=10 V  
T A=25 °C, VGS=4.5 V3)  
T A=70 °C, VGS=4.5 V3)  
Continuous drain current  
40  
40  
A
18  
14  
30  
24  
T A=25 °C, VGS=4.5 V4  
)
14  
22  
Pulsed drain current5)  
I D,pulse  
T C=70 °C  
160  
160  
Q1: I D=20 A,  
Q2: I D=20 A,  
R GS=25 W  
EAS  
Avalanche energy, single pulse  
20  
160  
mJ  
VGS  
Ptot  
±20  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
T A=25 °C2)  
2.5  
1.0  
2.5  
1.0  
W
T A=25 °C, minimum  
footprint3)  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
°C  
1) J-STD20 and JESD22  
2) One transistor active  
Rev.2.0  
page 1  
2013-07-30  
1234567...14

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与BSC0911ND相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC0911NDATMA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSC091N03MSCG INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC091N03MSCGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC0921NDI INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
BSC0921NDI_15 INFINEON

获取价格

 		Material Content Data Sheet
BSC0921NDIATMA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
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 		Material Content Data Sheet
BSC0923NDI_15 INFINEON

获取价格

 		Material Content Data Sheet
BSC0924NDI INFINEON

获取价格

 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
BSC0925ND INFINEON

获取价格

 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成

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