5秒后页面跳转
BSC090N03LS G PDF预览

BSC090N03LS G

更新时间: 2024-11-06 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 通信电池数据通信服务器电脑栅极调节器
页数 文件大小 规格书
10页 521K
描述
极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS? 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS? 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6)

BSC090N03LS G 数据手册

 浏览型号BSC090N03LS G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC090N03LS G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC090N03LS G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC090N03LS G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC090N03LS G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC090N03LS G的Datasheet PDF文件第7页 
BSC090N03LS G  
OptiMOS™3 Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
VDS  
30  
9
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
48  
PG-TDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC090N03LS G  
PG-TDSON-8  
090N03LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
48  
30  
A
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
39  
25  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
13  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
192  
40  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
T C=25 °C  
E AS  
I D=35 A, R GS=25 W  
10  
mJ  
I D=48 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=150 °C  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 2.1  
page 1  
2013-05-17  

与BSC090N03LS G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC090N03LSG INFINEON

获取价格

OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSC090N03MSG INFINEON

获取价格

OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
BSC090N03MSGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC0910NDI INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BSC0910NDIATMA1 INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
BSC0911ND INFINEON

获取价格

英飞凌凭借 OptiMOS™ 25V 产品系列,为分立功率 MOSFET 和封装系统树立功
BSC0911NDATMA1 INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSC091N03MSCG INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC091N03MSCGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC0921NDI INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor