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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 0.85 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 70 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0032 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC022N04LS6 | INFINEON |
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The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V family is opt |
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| BSC022N04LSATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC023N08NS5SC | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 power MOSFETs 80 V in SuperSO8 DSC |
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| BSC024N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC024N025SG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC024N025SG_09 | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC024N025SGAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC024NE2LS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSC025N03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-MOSFET |
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| BSC025N03LSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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