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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 5.27 | 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0034 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC025N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET |
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| BSC025N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC025N03MS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSC025N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSC025N03MSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSC025N03MSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSC025N08LS5 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSC026N02KS G | INFINEON |
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Infineon’s innovative products serve the mark |
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| BSC026N02KSG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC026N04LS | INFINEON |
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OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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