Datasheet > BLF369,112

BLF369,112

更新时间： 2024-11-27 19:59:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	146K
描述
BLF369

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BLF369,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.76	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLF369,112 数据手册

BLF369

Multi-use VHF power LDMOS transistor

Rev. 04 — 19 February 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

A general purpose 500 W LDMOS RF power transistor for pulsed and continuous wave

applications in the HF/VHF band up to 500 MHz.

Table 1.

Typical performance

Typical RF performance at V_DS= 32 V and T_h= 25 °C in a common-source 225 MHz test circuit.^[1]

Mode of operation

P_L

P_L(PEP)

G_p

(dB)

η_D

(%)

IMD3

(MHz)

(W)

500

(W)

(dBc)

CW, class AB

225

2-tone, class AB

pulsed, class AB ^[2]

f₁= 225; f₂= 225.1

225

500

−28

500

[1] T_his the heatsink temperature.

[2] t_p= 2 ms; δ = 10 %.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

I Typical pulsed performance at 225 MHz, a drain-source voltage V_DSof 32 V and a

quiescent drain current I_Dq= 2 × 1.0 A:

N Load power P_L= 500 W

N Power gain G_p= 19 dB

N Drain efﬁciency η_D= 55 %

I Advanced ﬂange material for optimum thermal behavior and reliability

I Excellent ruggedness

I High power gain

I Designed for broadband operation (HF/VHF band)

I Source on underside eliminates DC isolators, reducing common-mode inductance

I Easy power control

I Integrated ESD protection

I Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS), using exemption No. 7 of the annex

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

BLF369,112 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BLF369	NXP	功能相似	VHF power LDMOS transistor

与BLF369,112相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF378	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF378	ASI	获取价格	POWER MOSFET
BLF3G21-30	NXP	获取价格	UHF power LDMOS transistor
BLF3G21-30,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C
BLF3G21-6	NXP	获取价格	UHF power LDMOS transistor
BLF3G21-6,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A
BLF3G21-6,135	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A
BLF3G22-30	NXP	获取价格	UHF power LDMOS transistor
BLF3G22-30,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A
BLF3G22-30,135	NXP	获取价格	BLF3G22-30

与BLF369,112相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

63
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

60

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BLF369,112

BLF369,112 技术参数

BLF369,112 数据手册

BLF369,112 替代型号

与BLF369,112相关器件

与BLF369,112相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BLF369,112

BLF369,112 技术参数

BLF369,112 数据手册

BLF369,112 替代型号

与BLF369,112相关器件

与BLF369,112相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？