是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-4 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.76 | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压: | 65 V |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | R-CDFM-F4 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLF378 | NXP |
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VHF push-pull power MOS transistor | |
BLF378 | ASI |
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POWER MOSFET | |
BLF3G21-30 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor | |
BLF3G21-30,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C | |
BLF3G21-6 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor | |
BLF3G21-6,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | |
BLF3G21-6,135 | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | |
BLF3G22-30 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor | |
BLF3G22-30,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A | |
BLF3G22-30,135 | NXP |
获取价格 |
BLF3G22-30 |