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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BLF4G10-120 | NXP | UHF power LDMOS transistor |
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| BLF4G10-160 | NXP | UHF power LDMOS transistor |
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| BLF4G10-160,112 | NXP | TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-2, FET RF Power |
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| BLF4G10LS-120 | NXP | UHF power LDMOS transistor |
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| BLF4G10LS-120,112 | NXP | TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, LDMOST, 2 PIN, FET RF Power |
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| BLF4G10LS-160 | NXP | UHF power LDMOS transistor |
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