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BLF4G10LS-120

更新时间： 2024-02-16 05:14:44

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	102K
描述
UHF power LDMOS transistor

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BLF4G10LS-120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLF4G10LS-120 数据手册

BLF4G10LS-120

UHF power LDMOS transistor

Rev. 01 — 10 January 2006

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

120 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

800 MHz to 1000 MHz.

Table 1:

Typical performance

f = 920 MHz to 960 MHz; T_h= 25 °C; in a class-AB production test circuit; typical values.

Mode of operation V_DS

(V)

P_L

(W)

G_p

(dB) (%)

η_D

ACPR₄₀₀

(dBc)

ACPR₆₀₀

(dBc)

EVM

(%)

IMD3

(dBc)

120

GSM EDGE

2-tone

48 (AV)

−61^[1]

−72^[2]

1.5

120 (PEP) 19

−31

[1] ACPR₄₀₀at 30 kHz resolution bandwidth

[2] ACPR₆₀₀at 30 kHz resolution bandwidth

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

■ Typical GSM EDGE performance at a frequency of 920 MHz and 960 MHz, a supply

voltage of 28 V and an I_Dqof 650 mA

◆ Load power = 48 W (AV)

◆ Gain = 19 dB (typ)

◆ Efﬁciency = 40 % (typ)

◆ ACPR₄₀₀= −61 dBc (typ)

◆ ACPR₆₀₀= −72 dBc (typ)

◆ EVM_rms= 1.5 % (typ)

■ Easy power control

■ Excellent ruggedness

■ High efﬁciency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (800 MHz to 1000 MHz)

■ Internally matched for ease of use

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BLF4G10LS-120,112	NXP	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, LDMOST, 2 PIN, FET RF Power	获取价格
BLF4G10LS-160	NXP	UHF power LDMOS transistor	获取价格
BLF4G10S-120	NXP	UHF power LDMOS transistor	获取价格
BLF4G20-110B	NXP	UHF power LDMOS transistor	获取价格
BLF4G20LS-110B	NXP	UHF power LDMOS transistor	获取价格
BLF4G20LS-110B,112	NXP	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, LDMOST, 2 PIN, FET RF Power	获取价格