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BLF4G22-100

更新时间： 2024-11-05 06:42:31

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	83K
描述
UHF power LDMOS transistor

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BLF4G22-100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLF4G22-100 数据手册

BLF4G22-100; BLF4G22S-100

UHF power LDMOS transistor

Rev. 01 — 10 January 2006

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

100 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

2000 MHz to 2200 MHz.

Table 1:

Typical performance

T_case= 25 °C; in a common source class-AB test circuit; I_Dq= 900 mA; typical values

Mode of operation f

(MHz)

V_DS

(V)

P_L

(W)

G_p

(dB)

η_D

(%)

IMD3

(dBc)

ACPR

(dBc)

2-carrier

W-CDMA^[1]

f₁= 2135; f₂= 2145 28

25 (AV) 13.5

−37

−41

[1] 10 MHz carrier spacing PAR 7 dB at 0.01 % probability on CCDF, 3GPP test model 1, 1 to 64 DPCH.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

■ Typical 2-Carrier W-CDMA performance at a supply voltage of 28 V and an I_Dqof

900 mA:

◆ Load power = 25 W (AV)

◆ Gain = 13.5 dB (typ)

◆ Efﬁciency = 26 % (typ)

◆ ACPR = −41 dBc (typ)

◆ IMD3 = −37 dBc (typ)

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness > 10 : 1 VSWR at 100 W CW

■ High efﬁciency

■ High peak power capability (> 150 W)

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (2000 MHz to 2200 MHz)

■ Internally matched for ease of use

12 3 4 5 6 7...14

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