5秒后页面跳转
BLF546,112 PDF预览

BLF546,112

更新时间: 2024-11-27 21:16:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 88K
描述
BLF546

BLF546,112 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.74
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:SOURCE
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F4
元件数量:2端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:145 W
最小功率增益 (Gp):11 dB认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BLF546,112 数据手册

 浏览型号BLF546,112的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BLF546,112的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BLF546,112的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BLF546,112的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BLF546,112的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BLF546,112的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF546  
UHF push-pull power MOS  
transistor  
Product specification  
2003 Sep 22  
Supersedes data of 1998 Jan 09  

BLF546,112 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BLF545 NXP

类似代替

UHF push-pull power MOS transistor
UF2840P MACOM

功能相似

RF Power MOSFET Transistor 40W, 100-500 MHz, 28V
BLF546 NXP

功能相似

UHF push-pull power MOS transistor

与BLF546,112相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BLF547 NXP

获取价格

UHF push-pull power MOS transistor
BLF547 PHILIPS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
BLF548 NXP

获取价格

UHF push-pull power MOS transistor
BLF548 NJSEMI

获取价格

150W, 500MHz
BLF548,112 ETC

获取价格

RF FET 2 NC 65V 11DB SOT262A2
BLF571 NXP

获取价格

HF / VHF power LDMOS transistor
BLF571,112 NXP

获取价格

BLF571
BLF572XR NXP

获取价格

RF Manual 16th edition
BLF572XR(S) NXP

获取价格

RF Manual 16th edition
BLF572XRS NXP

获取价格

RF Manual 16th edition