生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.74 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压: | 65 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9 A | 最大漏极电流 (ID): | 9 A |
最大漏源导通电阻: | 0.6 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | R-CDFM-F4 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 145 W |
最小功率增益 (Gp): | 11 dB | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BLF545 | NXP |
类似代替 |
UHF push-pull power MOS transistor | |
UF2840P | MACOM |
功能相似 |
RF Power MOSFET Transistor 40W, 100-500 MHz, 28V | |
BLF546 | NXP |
功能相似 |
UHF push-pull power MOS transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLF547 | NXP |
获取价格 |
UHF push-pull power MOS transistor | |
BLF547 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
BLF548 | NXP |
获取价格 |
UHF push-pull power MOS transistor | |
BLF548 | NJSEMI |
获取价格 |
150W, 500MHz | |
BLF548,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET 2 NC 65V 11DB SOT262A2 | |
BLF571 | NXP |
获取价格 |
HF / VHF power LDMOS transistor | |
BLF571,112 | NXP |
获取价格 |
BLF571 | |
BLF572XR | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition | |
BLF572XR(S) | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition | |
BLF572XRS | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |