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BLF547

更新时间: 2024-11-29 20:22:27
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飞利浦 - PHILIPS /
页数 文件大小 规格书
12页 90K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

BLF547 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
子类别:FET General Purpose PowerBase Number Matches:1

BLF547 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF547  
UHF push-pull power MOS  
transistor  
October 1992  
Product specification  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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