BLF573S

更新时间： 2024-11-27 06:42:31

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恩智浦 - NXP		晶体射频场效应晶体管放大器
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14页	84K
描述
HF / VHF power LDMOS transistor

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BLF573S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	110 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	42 A	最大漏极电流 (ID)：	42 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	225 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLF573S 数据手册

BLF573S

HF / VHF power LDMOS transistor

Rev. 01 — 8 December 2008

Preliminary data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

A 300 W LDMOS RF power transistor for broadcast applications and industrial, scientiﬁc

and medical applications in the HF to 500 MHz band.

Table 1.

Production test information

Mode of operation

V_DS

(V)

P_L

G_p

η_D

(MHz)

225

(W)

300

(dB)

26.5

(%)

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

I Typical CW performance at frequency of 225 MHz, a supply voltage of 50 V and an

I_Dqof 900 mA:

N Average output power = 300 W

N Power gain = 26.5 dB

N Efﬁciency = 70 %

I Easy power control

I Integrated ESD protection

I Excellent ruggedness

I High efﬁciency

I Excellent thermal stability

I Designed for broadband operation (HF and VHF band)

I Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

I Industrial, scientiﬁc and medical applications

I Broadcast transmitter applications

12 3 4 5 6 7...14

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