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BLF548

更新时间： 2024-11-26 22:39:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	118K
描述
UHF push-pull power MOS transistor

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BLF548 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	330 W	最大功率耗散 (Abs)：	330 W
最小功率增益 (Gp)：	10 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D091

BLF548

UHF push-pull power MOS

transistor

Product speciﬁcation

2003 Sep 26

Supersedes data of Oct 1992

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BLF246B	NXP	类似代替	VHF push-pull power MOS transistor
UF28100M	MACOM	功能相似	RF Power MOSFET Transistor 100W, 100-500 MHz, 28V
MRF275G	MACOM	功能相似	The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28V

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF548,112	ETC	获取价格	RF FET 2 NC 65V 11DB SOT262A2
BLF571	NXP	获取价格	HF / VHF power LDMOS transistor
BLF571,112	NXP	获取价格	BLF571
BLF572XR	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLF572XR(S)	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLF572XRS	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLF573	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLF573(S)	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
BLF573,112	NXP	获取价格	BLF573
BLF573S	NXP	获取价格	HF / VHF power LDMOS transistor