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BLF246B

更新时间： 2024-11-04 22:39:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	92K
描述
VHF push-pull power MOS transistor

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BLF246B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.75 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	130 W	最大功率耗散 (Abs)：	130 W
最小功率增益 (Gp)：	14 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

ndbook, halfpage

M3D075

BLF246B

VHF push-pull power MOS

transistor

Product speciﬁcation

2000 Feb 04

Supersedes data of 1999 Jan 28

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BLF548	NXP	类似代替	UHF push-pull power MOS transistor
UF28150J	MACOM	功能相似	RF Power MOSFET Transistor 150W, 100MHz-500MHz, 28V
MRF275G	MACOM	功能相似	The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28V

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF246B,112	NXP	获取价格	BLF246B
BLF247B	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF248	NXP	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF248	ASI	获取价格	VHF POWER MOSFET
BLF248	NJSEMI	获取价格
BLF248,112	NXP	获取价格	BLF248
BLF248_15	JMNIC	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF248_2015	JMNIC	获取价格	VHF push-pull power MOS transistor
BLF25	LITTELFUSE	获取价格	Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget
BLF25M612,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B