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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F4 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 145 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| UF2840G | MACOM |
功能相似  |
RF Power MOSFET Transistor 5W, 100-500 MHz, 28V |
|
| UF2840P | MACOM |
功能相似 |
RF Power MOSFET Transistor 40W, 100-500 MHz, 28V |
|
| BLF546,112 | NXP |
功能相似 |
BLF546 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLF546,112 | NXP |
获取价格 |
BLF546 |
|
| BLF547 | NXP |
获取价格 |
UHF push-pull power MOS transistor |
|
| BLF547 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| BLF548 | NXP |
获取价格 |
UHF push-pull power MOS transistor |
|
| BLF548 | NJSEMI |
获取价格 |
150W, 500MHz |
|
| BLF548,112 | ETC |
获取价格 |
RF FET 2 NC 65V 11DB SOT262A2 |
|
| BLF571 | NXP |
获取价格 |
HF / VHF power LDMOS transistor |
|
| BLF571,112 | NXP |
获取价格 |
BLF571 |
|
| BLF572XR | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
|
| BLF572XR(S) | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition |
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