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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLF404T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | SOT-409B |
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| BLF4G10-120 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor |
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| BLF4G10-160 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor |
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| BLF4G10-160,112 | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-2, FET RF Power |
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| BLF4G10LS-120 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor |
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| BLF4G10LS-120,112 | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC, LDMOST, 2 PIN, FET RF Power |
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| BLF4G10LS-160 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor |
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| BLF4G10S-120 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor |
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| BLF4G20-110B | NXP |
获取价格 |
UHF power LDMOS transistor |
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| BLF4G20LS-110B | NXP |
获取价格 |
UHF power LDMOS transistor |
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