BLF3G21-6

更新时间： 2024-11-05 06:42:31

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恩智浦 - NXP		晶体射频场效应晶体管局域网
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描述
UHF power LDMOS transistor

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BLF3G21-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.3 A	最大漏极电流 (ID)：	2.3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLF3G21-6 数据手册

BLF3G21-6

UHF power LDMOS transistor

Rev. 01 — 25 June 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

6 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

HF to 2200 MHz

Table 1.

Typical class-AB RF performance

I_Dq= 90 mA; T_h= 25 °C in a common source test circuit.

Mode of operation

P_L

(W)

G_p

η_D

(%)

IMD3

(dB)

P_L(1dB)

(MHz)

2000

(dB)

12.5

15.5

15.8

(W)

Two-tone

−32

< −50

< 2

Table 2.

Typical class-A RF performance

I_Dq= 200 mA; T_h= 25 °C in a modiﬁed PHS test ﬁxture.

Mode of operation

P_L(AV)

(W)

G_p

η_D

ACPR_600k

(dBc)

(MHz)

(dB)

(%)

PHS

1880 to 1920

−75

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

I Excellent back-off linearity

I Typical PHS performance at a supply voltage of 26 V and I_Dqof 200 mA:

N Average output power = 2 W

N Power gain = 16 dB

N Efﬁciency = 20 %

N ACPR_600k= −75 dBc

I Easy power control

I Excellent ruggedness

I High power gain

I Excellent thermal stability

I Designed for broadband operation (HF to 2200 MHz)

12 3 4 5 6 7...12

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