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BLF404

更新时间: 2024-11-04 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 118K
描述
UHF power MOS transistor

BLF404 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.5 A最大漏极电流 (ID):1.5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDSO-G8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):8.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BLF404 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF404  
UHF power MOS transistor  
1998 Jan 29  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Oct 28  

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