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BLF3G21-30,112

更新时间： 2024-01-03 12:58:07

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其他 - ETC		局域网放大器晶体管
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13页	1028K
描述
RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C

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BLF3G21-30,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLF3G21-30,112 数据手册

BLF3G21-30

UHF power LDMOS transistor

Rev. 2 — 1 September 2015

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

30 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

HF to 2200 MHz.

Table 1.

Typical class-AB RF performance

I_Dq= 450 mA; T_h= 25 C in a common source test circuit.

Mode of operation

P_L

G_p

_D

IMD3 P_L(1dB)

(dB) (W)

(MHz)

2000

(W)

(dB) (%)

12.5

13.5

13.8

Two-tone

26

< 50

0.1 to 10

Table 2.

Typical class-A RF performance

I_Dq= 1 A; T_h= 25 C in a modified PHS test fixture.

Mode of operation

P_L(AV)

(W)

G_p

_D

ACPR₆₀₀

(dBc)

75

(MHz)

(dB)

(%)

PHS

1880 to 1920

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

 Excellent back-off linearity

 Typical PHS performance at a supply voltage of 26 V and I_Dqof 1 A:

 Average output power = 9 W

 Gain = 16 dB (typ)

 Efficiency = 20 %

 ACPR₆₀₀= 75 dBc

 Easy power control

 Excellent ruggedness

 High power gain

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (HF to 2200 MHz)

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