BLF378

更新时间： 2024-02-17 17:25:28

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描述
POWER MOSFET

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BLF378 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	110 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	500 W
最小功率增益 (Gp)：	14 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLF378 数据手册

BLF378

POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The ASI BLF378 is a N-Channel

Enhancement-Mode RF Power

MOSFET Designed for broadband RF

Applications up to 225 MHz.

FEATURES INCLUDE:

PACKAGE STYLE .400 BAL FLG(D)

• P_G= 14 dB Min. at 225 MHz

• 20:1 Load VSWR Capability

• Omnigold™ metalization system

MAXIMUM RATINGS

18 A

125 V

I_D

V_DSS

V_GS

P_DISS

T_J

20 V

500 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

0.35 °C/W

T_STG

θ_JC

1 & 2 = DRAIN 3 & 4 = GATE

5 = SOURCE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

NONE

SYMBOL

BV_DSS

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_D= 40 mA

V_GS= 0 V

125

µA

I_DSS

I_GSS

_DS= 50 V

V_GS= 0 V

5.0

1.0

7.0

_DS= 0 V

V_GS= 30 V

I_DS= 300 mA

V_GS= 5.0 V

I_DS= 6.0 A

V_DS= 10 V

V_GS

_GS= V_DS

_DS= 10 V

_GS= 20 V

1.0

5.5

0.30

Mho

Ω

R_DSON

I_DSAT

C_iss

V_GS= 20 V

400

_DS= 50 V

V_GS= 0 V

I_DQ= 0.8 A

f = 1.0 MHz

f = 225 MHz

200

C_oss

C_rss

P_GS

V_DS= 50 V

---

20:1

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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与BLF378相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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